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氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。
氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體。
三五族半導體「氮化鎵」（GaN）可說是現在當紅炸子雞材料，台積電更在上月宣布與意法半導體合作切入氮化鎵市場，與此同時，聲稱性能更勝以往的氮化鎵充電器也出現在大眾眼前。
當支持下一代5G標準時，預計可提高基站的效率達3倍。氮化鎵元件得以在電信基站支援波峰追蹤系統的主要因素是它具備高效、超快速開關性能。
氮化鎵電晶體被用於離子推進器、用來轉換衛星太陽能板的功率，以及用於基於LiDAR技術的測距應用。氮化鎵元件除了具備可以抵受嚴峻環境的性能外，它的小尺寸及高效特性使得它成為受航太應用青睞的元件。
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