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氮化鋁



氮化鋁(Aluminum Nitride,AlN)是鋁的氮化物。是一種寬帶隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半導體材料(6.2 eV)。故也是可應用於深紫外線光電子學的半導體物料。

 

氮化鋁應用於光電工程,包括在光學儲存介面及電子基質作誘電層,在高的導熱性下作晶片載體,以及作軍事用途。

 

高熱導率,為氧化鋁之7~8倍,熱膨脹係數接近矽晶圓。高絕緣阻抗,高機械強度及密度,成分穩定性佳。

 

截圖 2020-03-24 下午2.27.21.png

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