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1993年,日本日亞化學工業(Nichia Corporation)工作的中村修二(Shuji Nakamura)成功把氮滲入,造出了基於寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦氮化鎵(InGaN)、具有商業應用價值的藍光LED。

有了藍光LED後,白光LED也導隨即面世,之後LED便朝增加光度的方向發展

 

Chi-ming LED.png

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